MemSilicon完成国际首款高密度、大容量1T4R 1Gb RRAM芯片流片

据量子位报道，MemSilicon宣布完成国际首款高密度、大容量1T4R 1Gb RRAM芯片流片。该消息同时提到，公司正加速研发与CMOS标准工艺兼容的1TnR技术路线。报道未披露该芯片的具体性能参数、量产时间及工艺节点等细节。RRAM为电阻式随机存取存储器技术路线之一，此次流片进展受到关注，后续研发与验证情况公开资料未提供。